RuCore.NET

Модули памяти





Samsung разработала модули памяти DDR4, которые на 40 % энергоэффективнее, чем DDR3

Samsung представила модули оперативной памяти DDR4, созданные с помощью техпроцесса 30 нм. Модули способны передавать данные со скоростью до 3200 миллионов транзакций в секунду, при напряжении 1,2 В. Для сравнения: скорость модулей DDR3, изготовленных по техпроцессу 30 нм и рассчитанных на напряжение 1,35 или 1,5 В, составляет до 1600 миллионов передач. Новые модули потребляют на 40 % меньше электроэнергии, чем модули DDR3, рассчитанные на напряжение 1,5 В.

В модулях используется технология Pseudo Open Drain, позволившая уменьшить потребляемый ток вдвое по сравнению с DDR3. С использованием новой архитектуры DDR4 может работать со скоростью от 12,8 до 25,6 Гбайт/с. Сейчас же скорость DDR3 составляет до 12,8 Гбайт/с, а DDR2 — до 6,4 Гбайт/с. Во второй половине года Samsung в сотрудничестве с производителями серверов планирует завершить стандартизацию DDR4 организацией JEDEC.



Ассоциация JEDEC утвердила новый стандарт памяти DDR3L. Новая память потребляет на 20% меньше электроэнергии благодаря сниженному с 1.5 В до 1.35 В питающему напряжению. При этом память полностью совместима со всеми системами, поддерживающими обычную DDR3. Модули для персональных компьютеров будут маркироваться PC3L, для встраиваемых систем — EP3L.

Память стандарта DDR3 имеет 240 контактов и рассчитана на напряжение питания 1.5 В.

Совместимы ли физически модули памяти DDR и DDR2? Нет. DDR2 выполнен в новом форм-факторе — 240-контактный модуль DIMM, который электрически не совместим со слотами для модулей памяти типа DDR, то есть стандарт DDR2 не предусматривает обратной совместимости с DDR.

Основные отличия FB-DIMM от остальных регистровых модулей памяти DIMM

FB-DIMM (Fully-Buffered Dual in-line Memory Modules) — модуль памяти с полной буферизацией. Наиболее важным отличием является двойное увеличение пропускной способности памяти до 6.4 Гб/с. Также в FB-DIMM все сигналы (тактирующие или команды, например) — проходят операцию буферизации в специальной микросхеме, расположенной на самом модуле памяти — Advanced Memory Buffer (Расширенный Буфер Памяти — AMB). Плюс ко всему, в данном виде памяти, на шине, реализованы соединения Point-to-Point — Точка-Точка, которые соединяют контроллер и модуль памяти, что, естественно, увеличивает скорость обмена информацией. (журнал Железо).

Что означает VLP в названии оперативной памяти?

VLP (Very Low Profile Memory Modules) — модули оперативной памяти, имеющие очень низкий профиль (высоту). Существует также ULP (Ultra Low Profile Memory Modules) с ультранизкой конструкцией. Высота зависит от конкретного производителя, но в среднем предел по высоте модуля начинается с 18 мм. (источник: журнал Железо)



Поделись статьей с друзьями


129 просмотров



Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: